Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах

Journal: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ (Vol.-, No. 6)

Publication Date: 2016-04-21

Authors : Надточий В.А. Нечволод Н.К.;

Page : 56-60

Keywords : механические напряжения; деформация; германий; кремний; дислокации; релаксация напряжений; p-n-переход;

Source : Download Find it from : Google Scholar

Abstract

Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носителей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока

Main Menu

Searching By

PARTNERS

Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах

Abstract

Advertisement