Розрахунки полів температур і термічних напружень у приповерхневих шарах GaAs, ініційованих імпульсним лазерним опроміненням

Дослiджено вплив iмпульсного лазерного опромiнення поверхнi GaAs з гауссовим i дифракцiйним розподiлом iнтенсивностi на процеси дефектоутворення. Розраховано розподiл полiв температур i термiчних напружень протягом дiї лазерних iмпульсiв. Вперше показана можливiсть створення впорядкованих атомних структур у виглядi атомних кластерiв лазерним опромiненням низького рiвня, якi можуть бути використанi в мiкроелектронних приладах