Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge

Journal: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ (Vol.-, No. 2)

Publication Date: 2012-04-05

Authors : Надточий В.А. Уколов А.И. Попов О.К. Перебайло С.А.;

Page : 87-93

Keywords : полупроводник; эффективное время жизни; скорость поверх- ностной рекомбинации.;

Source : Download Find it from : Google Scholar

Abstract

Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений эффективного времени жизни, времени жизни в объеме и скорости поверхностной рекомбинации.

Main Menu

Searching By

PARTNERS

Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge

Abstract

Advertisement