Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu
Journal: Süleyman Demirel University Faculty of Arts and Science Journal of Science (Vol.13, No. 2)Publication Date: 2018-11-30
Authors : Namık AKÇAY;
Page : 121-131
Keywords : ZnO ince film; Al katkılama; ZnO/p-Si heteroeklemi; DLTS;
Abstract
Özet: Bu çalışmada, p-tipi Silisyum
(p-Si) üzerine katkısız Çinko Oksit (ZnO) ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit
(ZnOAl) kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleri
incelenmiştir. ZnO ve ZnOAl nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş ve
ZnO/p-Si, ZnOAl/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ile
oluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 oC’de 30 dk termal
tavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj (I-V) ve
Kapasite-Voltaj (C-V) ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahip
diyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların bariyer yüksekliği (Vbi) ve taşıyıcı
konsantrasyonları (Nd)
hesaplandı. Derin seviye
geçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzak
seviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığı
tespit edilmiştir. Electrical
Characterization of ZnO (Al) / p-Si Heterojunctions Fabricated by Sol-Gel
Method Abstract: In this
work, the electrical properties of heterojunctions formed by coating of undoped
Zinc Oxide (ZnO) and 2% Aluminum doped zinc oxid (ZnOAl) on p-type silicon
(p-Si) were investigated. ZnO and ZnOAl nanoparticles were synthesized by
Sol-Gel method and ZnO / p-Si, ZnO (Al) / p-Si heterojunctions were formed by
spin coating technique. After the coating, the samples were thermally annealed
at 450 oC for 30 minutes. Current-Voltage (I-V) and Capacity-Voltage
(C-V) measurements taken at 10K-300K show that the samples exhibit diode
behavior with very low leakage current. Built-in
potential (Vbi) and carrier concentrations (Nd) of diodes were calculated from C-V measurement
results. Deep level transition spectroscopy (DLTS) technique was used to
investigate trap levels around the depletion region. The
presence of electron traps in both samples was determined.
ORCID: https://orcid.org/0000-0003-1660-213X
Other Latest Articles
- 151,153Eu İzotoplarında (p,n) ve (p,3n) Reaksiyonları için Tesir Kesiti Hesaplamaları ve Seviye Yoğunluğu Modellerinin İncelenmesi
- Singüler Özfonksiyonlar Yöntemi ile Lineer-Kuadratik Anizotropik Saçılmalı Yarı-Uzay Albedo Hesaplamaları
- Gama ile ışınlanmış karvedilol ilacının EPR tekniği ile 295 Kelvinde incelenmesi
- Investigation on Photon Interaction Properties of Some Polymers Used in Production of Hydrogels
- Potansiyel Bir SPB Yıldızı Olan η Tau Yıldızının Frekans Analizi
Last modified: 2018-11-30 17:18:04