CAPACITE DE DIFFUSION DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A MULTI-JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN SERIE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE:EFFET DU TAUX DOPAGE DE LA BASE

La base de la photopile (n+/p/p+) au silicium a multi-jonctions verticalesconnactees en serie(MJVS) de dopage Nb, est placee sous illumination monochromatique (a(l)) en modulation de frequence(w). La resolution de lequation de diffusion relative a la densite des porteurs de charge photogeneresd(x, t) est constituee de termes tels que:-le coefficient de diffusion dynamique D(w, Nb) et les termes de recombinaison, fonction de la frequence de modulation de lexcitation lumineuse et du taux de dopage Nb-le taux de generation G(w, t)Les conditions aux limites despace prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques (Sf) et Sb, respectivement a la jonction (n+/p) a la face arriere (p/p+), ont permis de completer la solution de lequation de diffusion des porteurs de charge photogeneres. De la densite des porteurs minoritaires d(x, t) solution de lequation de diffusion, obtenue dune base de taux de dopage Nb, la capacite de diffusion C(w, a(l), Sf, Sb, Nb) est deduite.La reponse capacitive a travers son amplitude et de sa phase, est etudiee lorsque la photopile est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, a travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base.