INFLUENCE DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP MAGNETIQUE SUR LA DECROISSANCE TRANSITOIRE DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE DANS UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A MULTI JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE ET PLACEE ENCIRCUIT OUVERT
Journal: International Journal of Advanced Research (Vol.10, No. 08)Publication Date: 2022-08-16
Authors : Pape Diop Sega Gueye Gora Diop Dibor Faye Ibrahima Diatta Oumou Khalsoum Dieng Ousmane Sow Moustapha Thiame Mamadou Wade; Gregoire Sissoko;
Page : 69-82
Keywords : Photopile Au Silicium Jonction Verticale Parallele Champ Magnetique Temperature Constante De Temps Epaisseur De La Base;
Abstract
Une etude de leffet de la temperature et du champ magnetique sur une photopile au silicium a jonctions verticales connectees en parallele, est presentee,en fonctionnement de regime transitoire de circuit ouvert. La densite transitoire de porteurs minoritaires en exces dans la base est une somme de termes infinis, dont le temps de decroissance des differentes harmoniques est etudie. Lepaisseur optimum de la base permet de determiner la temperature optimum qui influe sur le temps de decroissance du regime transitoire.
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Last modified: 2022-09-06 17:59:39