DETERMINATION DE LA RESISTANCE SHUNT DUNE PHOTOPILE IRRADIEE (N+/P/P+) AU SILICIUM PLACEE SOUS CHAMP MAGNETIQUE ET SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE

Lobjet de cette etude est de presenter une application de la technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit dune photopile monofaciale au silicium, , sous eclairement polychromatique, sous irradiation et sous champ magnetique, en regime dynamique frequentiel. Apres la resolution de lequation de magneto-diffusion des porteurs minoritaires de charges en regime dynamique, les expressions de la densite des porteurs minoritaires de charge et de la densite de photocourant ont ete etablies. La densite des porteurs minoritaires de charge est etudiee en fonction de la profondeur dans la base de la photopile pour differentes valeurs de la frequence de modulation. La densite de photocourant est etudiee en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction pour differentes frequences de modulation. A partir du profil de variation de la densite de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction, une technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit est presentee. Les influences de la frequence de modulation, de lirradiation et du champ magnetique sur la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit, sur le photocourant de court-circuit et sur la resistance shunt ont ete egalement etudiees.