VITESSE DE RECOMBINAISON DYNAMIQUE A LA JONCTION ET EN FACE ARRIERE : APPLICATION A LA DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE (P) DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE
Journal: International Journal of Advanced Research (Vol.12, No. 05)Publication Date: 2024-05-10
Authors : Matar Niane Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba Khady Loum Rasmane Simpore Ibrahima Diatta Youssou Traore Moustapha Thiame Sega Gueye; Gregoire Sissoko;
Page : 256-266
Keywords : Photopile Au Silicium-Vitesse De Recombinaison Dynamique-Epaisseur Optimum;
Abstract
Par resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), de la photopile sous eclairement polychromatique, munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, lexpression de la densite du photocourant dynamique est etablie. Elle permet de deduire les expressions de la vitesse de recombinaison dynamiquedes porteurs minoritaires de charge a la jonction et en face arriere de la base, qui par comparaison graphique, conduisent a la determination de lepaisseur optimum de la base de la photopile, pour chaque valeur de la frequence de modulation de la lumiere incidente.
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Last modified: 2024-05-31 21:29:13