RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE BIFACIALE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS CHAMP MAGNETIQUE : EFFET DE LA RESONANCE EN TEMPERATURE DU COEFFICIENT DE DIFFUSION

Dans ce travail, laccent est mis sur letude de la caracteristique densite de courant - tension, obtenue de la photopile sous eclairement, en lien avec la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, pour differentes valeurs de lepaisseur optimum obtenue pour chaque valeur du coefficient de diffusion optimum. Le paramètre electrique quest la resistance serie est alors deduit et etudie en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, imposant le point de fonctionnement a la photopile depaisseur optimum de la base induite par le coefficient de diffusion maximum.