TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alaşımlarının Yapısal ve Elektronik Özellikleri

Bu çalışmada, yoğunluk fonksiyonel teorisi dahilinde lineer genişletilmiş düzlem dalga metodu kullanılarak TlGa1-xInxTe2 alaşımlarının yapısal ve elektronik özellikleri incelendi. TlGa1-xInxTe2 (x=0.25, 0.50, 0.75) alaşımları, TlInTe2 ve TlGaTe2 alaşımları gibi tetragonal yapıya sahiptir. Alaşımların Kristal yapıları P1 ( ) uzay grubu kullanılarak elde edildi. Yapısal hesaplamalardan, birim hücre içerisindeki In konsantrasyonunun artışı ile örgü parametresi a ve birim hücre hacminin arttığını tespit edildi. Incelenen alaşımların, elektronik band yapı ve durum yoğunluğu hesaplamalarından, yarıiletken özellik sergilediğini bulundu. Ayrıca, alaşımların yasak band enerjisinin x konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiği tespit edildi. Hesaplanan yasak band enerjileri alaşımların dar band aralıklı yarıiletken olduğunu göstermektedir.  Bu çalışmanın bulduları dörtlü TlGa1-xInxTe2 (x=0.25, 0.50, 0.75) alaşımları ile ilgilenen araştırmacılar için iyi bir referans çalışma olacaktır.