n-AgInSe2/p-Si Heteroeklem Diyodunun Sıcaklığa Bağlı Akım-Gerilim Karakteristikleri
Journal: Süleyman Demirel University Faculty of Arts and Science Journal of Science (Vol.13, No. 2)Publication Date: 2018-11-30
Authors : Durmuş ALDEMİR; Murat KALELİ;
Page : 18-24
Keywords : AgInSe2 ince film; Sıcaklık bağlılığı; Değiştirilmiş Horvath yöntemi;
Abstract
n-AgInSe2/p-Si heteroeklem diyodu, AgInSe2
ince filminin, p-tipi Si üzerine ardıl tabaka biriktirme yöntemi ile imal
edilmiştir. Diyodun idealite çarpanı ve doyma akımı sıcaklık bağlı davranış
göstermiştir. Aktivasyon enerjisi, geleneksel aktivasyon enerji grafiği
kullanılarak hesaplanmıştır. Akım mekanizmaları kusur-destekli tünelleme ve
taşıyıcı rekombinasyonu olarak belirlenmiştir. Ayrıca aktivasyon enerjisini
hesaplamak için değiştirilmiş Horvath yöntemi, n-AgInSe2/p-Si
heteroeklemi için ilk defa burada sunulmuştur.
Other Latest Articles
- 0-8 MeV Enerji Bölgesinde 13C(α,n)16O Reaksiyonu için Astrofiziksel S-Faktörlerin Hesaplanması
- Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu
- 151,153Eu İzotoplarında (p,n) ve (p,3n) Reaksiyonları için Tesir Kesiti Hesaplamaları ve Seviye Yoğunluğu Modellerinin İncelenmesi
- Singüler Özfonksiyonlar Yöntemi ile Lineer-Kuadratik Anizotropik Saçılmalı Yarı-Uzay Albedo Hesaplamaları
- Gama ile ışınlanmış karvedilol ilacının EPR tekniği ile 295 Kelvinde incelenmesi
Last modified: 2018-11-30 17:18:04