ResearchBib Share Your Research, Maximize Your Social Impacts
Sign for Notice Everyday Sign up >> Login

n-AgInSe2/p-Si Heteroeklem Diyodunun Sıcaklığa Bağlı Akım-Gerilim Karakteristikleri

Journal: Süleyman Demirel University Faculty of Arts and Science Journal of Science (Vol.13, No. 2)

Publication Date:

Authors : ; ;

Page : 18-24

Keywords : AgInSe2 ince film; Sıcaklık bağlılığı; Değiştirilmiş Horvath yöntemi;

Source : Downloadexternal Find it from : Google Scholarexternal

Abstract

n-AgInSe2/p-Si heteroeklem diyodu, AgInSe2 ince filminin, p-tipi Si üzerine ardıl tabaka biriktirme yöntemi ile imal edilmiştir. Diyodun idealite çarpanı ve doyma akımı sıcaklık bağlı davranış göstermiştir. Aktivasyon enerjisi, geleneksel aktivasyon enerji grafiği kullanılarak hesaplanmıştır. Akım mekanizmaları kusur-destekli tünelleme ve taşıyıcı rekombinasyonu olarak belirlenmiştir. Ayrıca aktivasyon enerjisini hesaplamak için değiştirilmiş Horvath yöntemi, n-AgInSe2/p-Si heteroeklemi için ilk defa burada sunulmuştur.

Last modified: 2018-11-30 17:18:04