ETUDE DUNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM EN REGIME STATIQUE SOUMISE A UN CHAMP MAGNETIQUE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE PAR LA FACE ARRIERE: DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE

La photopile bifaciale au silicium, est eclairee par la face arriere par une lumiere monochromatique. Elle est placee dans un champ magnetique induisant un coefficient de diffusion Dn (B) des porteurs minoritaires. Lequation de magneto-transport relative à la densite des porteurs minoritaires dans la base de la photopile est resolue. Les conditions aux limites associees sont donnees à laide des vitesses de recombinaison des porteurs minoritaires (Sf) et (Sb), respectivement à la jonction (n+/p) et à la surface arriere (p/p+). Du profil de densite de courant en fonction de la vitesse de recombinaison (Sf) à la jonction, les expressions de la vitesse de recombinaison (Sb) des porteurs minoritaires sont deduites, en fonction du coefficient dabsorption (α(λ), du coefficient de diffusion et de lepaisseur (H). Dans ce travail, nous avons propose une etude graphique pour determiner lepaisseur optimum de la base de la photopile bifaciale au silicium par le concept de vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la surface arriere. Lepaisseur optimalum de la base est obtenue et modelisee en fonction du champ magnetique, pour les petites et grandes gammes de longueurs donde de la lumiere incidente.