MAGNETO RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE PAR LA FACE (N+)

Dans ce travail, la photopile (n+/p/p+) au silicium cristallin est sous eclairement polychromatique par la face (n+) et placee dans un champ magnetique (B) constant. Letude de la caracteristique de la densite de courant en fonction de la tension, pour chaque valeur du coefficient de diffusion (D(B))des porteurs minoritaires de charge dans la base (p), depaisseur optimum (Hopt(B)) requise, permet detablir lexpression de la resistance serie (Rs(Hot(B)).De sa courbe de calibaration en fonction de la vitesse de recombinaison (Sf) des porteurs minoritaire de charge à la jonction, la resistance serie est extraite en fonction du champ magnetique applique et de lepaisseur optimum de la base.