ETUDE DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE ENMODULATION DE FREQUENCE : EFFET DE LA VITESSE SURFACIQUE DE RECOMBINAISON, DE LA FREQUENCE ET DE LEPAISSEUR SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES

Letude de la photopile monofaciale (n+/p/p+) au silicium cristallin a travers la resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, conduit aux caracteristiques electriques, courant-tension, puissance-tension delivree et le facteur de forme. Ce travail montre et analyse sur ces quantites,les effetsde la frequence de modulation de la lumiere polychromatique incidente, de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en face arriere et de lepaisseur de la base de la photopile.