INFLUENCE DU CHAMP MAGNETIQUE ET DE LA PROFONDEUR DE LA BASE SUR LA PUISSANCE ET LE RENDEMENT OBTENUS DUNE PHOTOPILE (N+/P) AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUEEN REGIME STATIQUE

Une etude theorique de la photopile (n+/p) au silicium a jonctions verticalesconnectees en parallele, en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transport relative a la densite des porteurs minoritaires dans la base a permis de deduire les expressions du photocourant, de la phototension , de la puissance et du rendement de conversion en fonction du champ magnetique et de la profondeur z de la base. Les caracteristiques courant-tension, puissance-tension et puissance-vitesse de recombinaison a la jonction, ont permis de determiner graphiquement le photocourant (Iphmax) et la phototension (Vphmax) correspondant au point de puissance maximale (P( ))puis en deduire le rendement de conversion pour differentes valeurs du champ magnetique et de la profondeur z.